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Micro-LED巨量轉移難點與突破全解析

編輯: 2024-08-15 14:13:12 瀏覽:1377  來源:辰顯光電

 

1.Micro-LED巨量轉移技術的重要性

 

巨量轉移技術是Micro-LED顯示技術中的關鍵步驟,旨在將大量微小的LED芯片從生長基板高效、精確地轉移到目標驅動基板上,以構建高密度、高質量的顯示陣列。由于Micro-LED的尺寸遠小于常規LED,轉移過程具有極高的挑戰性,尤其是在數量、速度、精度、良率、穩定性和成本方面。因此,巨量轉移技術成為了Micro-LED技術實現大規模產業化的關鍵所在。

2.Micro-LED巨量轉移技術的挑戰

 

Micro-LED巨量轉移技術的主要挑戰在于高效率轉移、高可靠性鍵合、快速檢測和修復。由于一個顯示屏通常需要轉移數十萬乃至上千萬顆LED芯片,對轉移過程的精度、效率、穩定性等要求極高。高可靠性鍵合是指Micro-LED器件與背板結合的強度需要滿足產品的需求,避免產品使用過程中的新增壞點問題??焖贆z測和修復是指能夠快速、準確地定位到屏體上壞點位置,并進行替換,實現屏體的100%點亮。這些挑戰直接影響了Micro-LED技術的大規模產業化進程。

3.辰顯光電如何提高Micro-LED轉移效率和良率

 

辰顯光電通過采用印章轉移和激光轉移技術相結合的方法,大幅提升了Micro-LED轉移的效率。印章轉移技術以其高精度和成熟的產業鏈特點,在Micro-LED芯片的轉移過程中提供了穩定性和可靠性,但其轉移效率相對較低。激光轉移技術以其高效率和靈活性優勢,在Micro-LED芯片的轉移中展現出了其快速和適應性強的特性,尤其適合混bin技術的開發,但精度相對較低。這兩種技術的結合,使辰顯光電在轉移效率和精度上達到了最佳平衡。目前,辰顯光電的轉移效率已達到每小時1000萬顆。為了提升轉移良率,辰顯光電從99.99%的轉移良率提高到99.995%僅用了3個月時間。辰顯光電的技術團隊不斷優化印章和激光轉移工藝,改善工藝流程,提升基板加工精度,從而實現高良率轉移。

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