�(yīng)用材料顯示事�(yè)部（AKT）在日本橫濱�2012年國(guó)際平板顯示器�(FPDI2012)�(xiàn)�(chǎng)，通過視頻�(huì)議系�(tǒng)向北京媒體宣布，推出分別采用低溫多晶硅（LTPS）和金屬氧化物材料的PXPECVD（等離子體增�(qiáng)型化�(xué)氣相沉積）和PiVotPVD（物理氣相沉積）薄膜沉積系統(tǒng)�
這兩�(gè)系統(tǒng)主要�(yīng)用于超高分辨率電視及移動(dòng)�(shè)備高像素密度�8.5代LCD和OLED屏玻璃基板制造�
�(yīng)用材料AKT的CVD�(chǎn)品營(yíng)銷執(zhí)行總�(jiān)肖勁松表示，PXPECVD系統(tǒng)包含3�(gè)平臺(tái)：針�(duì)5代基板的15KPXPECVD，基板尺寸為1200x1300mm�6代基板的25KPXPECVD，基板尺寸為1500x1800mm�8.5代基板的55KPXPECVD，基板尺寸為2200x2500mm。上述三類基板厚度均�0.5~0.7mm�
PXPECVD的主要特�(diǎn)有：可滿足LTPS薄膜晶體�430℃的工藝溫度（非晶硅薄膜晶體�350℃）；在1.6~5.7m2玻璃基板上沉積出的薄膜厚度均勻�<5%（非晶硅薄膜晶體管為10~15%）；薄膜性能分布更嚴(yán)格；每�(gè)系統(tǒng)平臺(tái)可放5�(gè)工藝腔，生產(chǎn)效率為每小時(shí)65塊基板。工藝控制過程如�1所示�
�(yīng)用材料AKTPVD�(chǎn)品總�(jīng)理JohnBusch表示，對(duì)基于金屬氧化物的薄膜晶體管，PiVotPVD系統(tǒng)采用旋轉(zhuǎn)陰極專利技�(shù)，沉積具有高電子遷移率的銦鎵鋅氧化物（IGZO），以形成晶體管通道；消除了顯示背板的霧化效�(yīng)；所用的圓柱形靶材含雜質(zhì)低（良率更高），沉積速率快，利用率提升了3倍，還可減少顆粒，實(shí)�(xiàn)自我清潔，使�80%后仍很干凈；�(dú)特的磁鐵�(yùn)行模式使各膜層可在相�(duì)靜止的狀�(tài)下均勻沉積；氣體輸配、靶材侵蝕及陣列�(shè)�(jì)確保了薄膜晶體管的一致性（見圖2）�
�1AKTLTPS的工藝控制過�
�2PiVotPVD系統(tǒng)可確保薄膜晶體管的一致�
肖勁松還指出，實(shí)際上，顯示制造商在利用金屬氧化物技�(shù)�(shí)，成本會(huì)比用傳統(tǒng)技�(shù)上升20~30%；用LTPS技�(shù)�(shí)，成本會(huì)上升40~60%。但是，高電子遷移率�(huì)提升�(chǎn)品的整體�(jīng)�(jì)效益。此外，傳統(tǒng)方式的產(chǎn)品良率較低，而對(duì)于高像素、高清晰的顯示產(chǎn)品，傳統(tǒng)的非晶硅技�(shù)�(wú)法實(shí)�(xiàn)，只能采用LTPS或金屬氧化物技�(shù)。通過霧性均勻性和顆粒性控制，可提高良率�
�(yīng)用材料AKT稱，目前已收到部分顯示制造商�(duì)上述2�4種產(chǎn)品的訂單�
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