日本郡是（GUNZE）在“nano tech 2010國際納米科技綜合展及技術(shù)會議（2月17～19日，東京有明國際會展中心）”上展出了電阻值較低的透明電極薄膜。主要面向有機EL顯示器及電子紙用途。
透明度指標“全光透射率”為78％時，表面電阻值僅為8.1Ω/□。使用通常用作透明電極薄膜的ITO薄膜時，全光透射率與電阻值之間存在折中（Tradeoff）關(guān)系。要想減小電阻值，增加ITO膜的厚度后，透射率就會降低。另一方面，要想提高透射率，減小ITO膜的厚度后，電阻值就會提高。比如，一般情況下，觸摸面板用ITO薄膜的全光線透射率為80～90％左右，由此可知表面電阻為200～400Ω/□左右。
郡是沒有公開詳細內(nèi)容，不過據(jù)介紹，除了ITO之外，通過與其他物質(zhì)結(jié)合，實現(xiàn)了低電阻值及高透射率二者兼顧。與普通ITO薄膜一樣，采用濺鍍技術(shù)使透明電極層成膜。
該公司還公開了組合使用該透明電極薄膜與阻氣層的成果。僅形成阻氣層的薄膜材料的水蒸氣透過率低于0.02g/m2/日（在溫度為40℃、相對濕度為90％時）。全光線透射率為93.3％。
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