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　　GaN是藍(lán)光LED的基礎(chǔ)材料，在Micro-LED、紫外激光器中有重要應(yīng)用。Micro-LED被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)，而硅襯底GaN基技術(shù)的特性是制造 Micro-LED芯片的天然選擇。在2022中國國際Mini/Micro-LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)峰會(huì)上，東莞市中麒光電技術(shù)有限公司（以下簡稱“中麒光電”）總經(jīng)理孫明以“Mini/Micro LED技術(shù)和應(yīng)用實(shí)踐”為主題，分享了中麒光電在GaN材料上的應(yīng)用，以及微顯示領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)實(shí)踐和材料器件領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)探索。

　　東莞市中麒光電技術(shù)有限公司總經(jīng)理 孫明

　　孫明表示，目前GaN材料主要有兩大應(yīng)用領(lǐng)域：一是產(chǎn)業(yè)化規(guī)模很大的通用照明、景觀照明、數(shù)碼和戶內(nèi)顯示以及背光等；二是非發(fā)光領(lǐng)域的應(yīng)用，比如Power、RF、LD、HEMT。他也介紹，中麒光電基于GaN材料，通過Mini-LED和Micro-LED向下游延展到模組、面板，進(jìn)而形成了中麒光電的微間距顯示平臺(tái)，同時(shí)向下游又延伸到器件，重點(diǎn)涵蓋了RF、PD、LD，進(jìn)而形成了中麒光電的材料器件平臺(tái)。他認(rèn)為，“我們將在未來某一個(gè)時(shí)間段通過產(chǎn)品的集成完成發(fā)光材料和非發(fā)光材料的融合。這也是中麒光電在產(chǎn)業(yè)布局以及產(chǎn)業(yè)路徑上面的重大產(chǎn)業(yè)實(shí)踐。”

　　孫明認(rèn)為，“氮化物材料將成為引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革的破局點(diǎn)，目前電視基于硅晶體管得以實(shí)現(xiàn)發(fā)光器件，而GaN也同樣可以作為微顯示領(lǐng)域Mini/Micro-LED芯片的直顯材料，同時(shí)可以通過非發(fā)光器件實(shí)現(xiàn)所有的產(chǎn)業(yè)集成。”同時(shí)，他也認(rèn)為，新能源汽車是中國近年來最成功的產(chǎn)業(yè)案例，其通過總線/集成變革，最后實(shí)現(xiàn)了中國新能源汽車行業(yè)的彎道超車，“我們一直認(rèn)為，GaN材料是顯示領(lǐng)域極有可能實(shí)現(xiàn)的第三代半導(dǎo)體，也是化合物半導(dǎo)體在一些重要產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑。這也是我們對產(chǎn)業(yè)或者對GaN材料的理解。”

　　孫明也詳細(xì)介紹了中麒光電在微間距顯示領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)實(shí)踐以及取得的成果。2018年，中麒光電除了完成Mini和Micro芯片以外，還重點(diǎn)布局了巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，也是其最引以為傲的技術(shù)。中麒光電不僅率先在全球?qū)崿F(xiàn)了巨量轉(zhuǎn)移的全產(chǎn)業(yè)化，還開發(fā)了自主研發(fā)的設(shè)備。他介紹，中麒光電巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)采用了激光轉(zhuǎn)移方案，良率已經(jīng)達(dá)到99.999%。目前中麒光電實(shí)現(xiàn)了巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備的拓展應(yīng)用，P5主要應(yīng)用于電視、車載顯示、顯示器背光，而P1.0以下主要應(yīng)用于小間距LED、Mini-LED，將為未來Micro產(chǎn)業(yè)化奠定產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。

　　而在目前量產(chǎn)的COB領(lǐng)域，孫明也介紹，除了巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備以外，中麒光電的巨量轉(zhuǎn)移線可以全自動(dòng)化無人接觸，使巨量轉(zhuǎn)移良率達(dá)到99.999%，而且實(shí)現(xiàn)了在線修復(fù)和檢測，修復(fù)后可以實(shí)現(xiàn)良率100%，可以讓巨量轉(zhuǎn)移線實(shí)現(xiàn)COB完全量產(chǎn)綜合良率達(dá)到97%。

　　除了在芯片領(lǐng)域儲(chǔ)備了諸多技術(shù)之外，中麒光電還完成了芯片級(jí)封裝，下一步會(huì)進(jìn)入到晶圓級(jí)的封裝。孫明表示，參考硅晶半導(dǎo)體的行業(yè)發(fā)展規(guī)律，集成封裝的下一個(gè)集成方式就是2.5D或者3D封裝，“目前全色系Mini& Micro芯片、芯片級(jí)封裝、集成封裝已基本實(shí)現(xiàn)，未來將要重點(diǎn)實(shí)現(xiàn)QD色轉(zhuǎn)換、晶圓級(jí)封裝、2.5D/3D先進(jìn)封裝。”

　　關(guān)于技術(shù)路線的突破，他也介紹，目前中麒光電主要有兩個(gè)技術(shù)方案：MIP與COB技術(shù)方案。這兩種方案在2022年都實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，且兩大技術(shù)路線齊頭并進(jìn)，預(yù)計(jì)在2023年底，在Micro領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)融合破局。他表示，“MIP很多技術(shù)是非常線型的，可以很快實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但COB有很多關(guān)鍵的技術(shù)，比如芯片、基板的精度等，需要爬一些陡坡。經(jīng)過這幾年的量產(chǎn)和實(shí)踐，我們把兩種技術(shù)路線合并成Mini COB，統(tǒng)一成一個(gè)產(chǎn)品。我們用兩種產(chǎn)品路線實(shí)現(xiàn)Micro技術(shù)方案，有可能這是最容易實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)業(yè)路徑。”

　　孫明表示，關(guān)于材料器件領(lǐng)域的探索，中麒光電也對一些產(chǎn)業(yè)化方案進(jìn)行了實(shí)踐， 比如，GaN材料在器件上的應(yīng)用，率先通過在電源效率提升方面的組合應(yīng)用，配合一些硅基封測和硅晶半導(dǎo)體的器件方案，做了一些產(chǎn)業(yè)路徑實(shí)踐。然而，關(guān)于GaN兩個(gè)發(fā)光材料和不發(fā)光材料的產(chǎn)業(yè)融合，他認(rèn)為，通過微顯示產(chǎn)品形態(tài)，比如AR/VR的Micro-LED顯示，最后這些技術(shù)融合會(huì)帶來GaN為代表的化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)融合。

　　2022中國國際Mini/micro-LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)峰會(huì)錄播

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