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　　GaN是藍光LED的基礎材料，在Micro-LED、紫外激光器中有重要應用。Micro-LED被認為是下一代顯示技術，而硅襯底GaN基技術的特性是制造 Micro-LED芯片的天然選擇。在2022中國國際Mini/Micro-LED產業技術峰會上，東莞市中麒光電技術有限公司（以下簡稱“中麒光電”）總經理孫明以“Mini/Micro LED技術和應用實踐”為主題，分享了中麒光電在GaN材料上的應用，以及微顯示領域的產業實踐和材料器件領域的產業探索。

　　東莞市中麒光電技術有限公司總經理 孫明

　　孫明表示，目前GaN材料主要有兩大應用領域：一是產業化規模很大的通用照明、景觀照明、數碼和戶內顯示以及背光等；二是非發光領域的應用，比如Power、RF、LD、HEMT。他也介紹，中麒光電基于GaN材料，通過Mini-LED和Micro-LED向下游延展到模組、面板，進而形成了中麒光電的微間距顯示平臺，同時向下游又延伸到器件，重點涵蓋了RF、PD、LD，進而形成了中麒光電的材料器件平臺。他認為，“我們將在未來某一個時間段通過產品的集成完成發光材料和非發光材料的融合。這也是中麒光電在產業布局以及產業路徑上面的重大產業實踐。”

　　孫明認為，“氮化物材料將成為引領產業變革的破局點，目前電視基于硅晶體管得以實現發光器件，而GaN也同樣可以作為微顯示領域Mini/Micro-LED芯片的直顯材料，同時可以通過非發光器件實現所有的產業集成。”同時，他也認為，新能源汽車是中國近年來最成功的產業案例，其通過總線/集成變革，最后實現了中國新能源汽車行業的彎道超車，“我們一直認為，GaN材料是顯示領域極有可能實現的第三代半導體，也是化合物半導體在一些重要產業的產業發展路徑。這也是我們對產業或者對GaN材料的理解。”

　　孫明也詳細介紹了中麒光電在微間距顯示領域的產業實踐以及取得的成果。2018年，中麒光電除了完成Mini和Micro芯片以外，還重點布局了巨量轉移技術，也是其最引以為傲的技術。中麒光電不僅率先在全球實現了巨量轉移的全產業化，還開發了自主研發的設備。他介紹，中麒光電巨量轉移技術采用了激光轉移方案，良率已經達到99.999%。目前中麒光電實現了巨量轉移設備的拓展應用，P5主要應用于電視、車載顯示、顯示器背光，而P1.0以下主要應用于小間距LED、Mini-LED，將為未來Micro產業化奠定產業基礎。

　　而在目前量產的COB領域，孫明也介紹，除了巨量轉移設備以外，中麒光電的巨量轉移線可以全自動化無人接觸，使巨量轉移良率達到99.999%，而且實現了在線修復和檢測，修復后可以實現良率100%，可以讓巨量轉移線實現COB完全量產綜合良率達到97%。

　　除了在芯片領域儲備了諸多技術之外，中麒光電還完成了芯片級封裝，下一步會進入到晶圓級的封裝。孫明表示，參考硅晶半導體的行業發展規律，集成封裝的下一個集成方式就是2.5D或者3D封裝，“目前全色系Mini& Micro芯片、芯片級封裝、集成封裝已基本實現，未來將要重點實現QD色轉換、晶圓級封裝、2.5D/3D先進封裝。”

　　關于技術路線的突破，他也介紹，目前中麒光電主要有兩個技術方案：MIP與COB技術方案。這兩種方案在2022年都實現了產業化，且兩大技術路線齊頭并進，預計在2023年底，在Micro領域實現融合破局。他表示，“MIP很多技術是非常線型的，可以很快實現產業化，但COB有很多關鍵的技術，比如芯片、基板的精度等，需要爬一些陡坡。經過這幾年的量產和實踐，我們把兩種技術路線合并成Mini COB，統一成一個產品。我們用兩種產品路線實現Micro技術方案，有可能這是最容易實現的產業路徑。”

　　孫明表示，關于材料器件領域的探索，中麒光電也對一些產業化方案進行了實踐， 比如，GaN材料在器件上的應用，率先通過在電源效率提升方面的組合應用，配合一些硅基封測和硅晶半導體的器件方案，做了一些產業路徑實踐。然而，關于GaN兩個發光材料和不發光材料的產業融合，他認為，通過微顯示產品形態，比如AR/VR的Micro-LED顯示，最后這些技術融合會帶來GaN為代表的化合物半導體的產業融合。

　　2022中國國際Mini/micro-LED產業技術峰會錄播

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