2014年5月7日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)宣布推出專有ONC18 180納米(nm)工藝技術(shù)上的經(jīng)過認(rèn)證的新的知識產(chǎn)權(quán)(IP)。這些新的經(jīng)過認(rèn)證的電路模塊將幫助安森美半導(dǎo)體的晶圓代工廠(GDS2)接口客戶把需要硅片重制(re-spin)的風(fēng)險(xiǎn)降至最低,因而幫助降低新設(shè)計(jì)的開發(fā)成本及縮短上市周期。
安森美半導(dǎo)體的定制晶圓代工業(yè)務(wù)部持續(xù)提供新的IP模塊;這些IP模塊通過Micro Oscillator Inc.、Senseeker Engineering Inc.及Silicon Storage Technology, Inc.等外部供應(yīng)商開發(fā)的專有工藝的認(rèn)證。最近通過認(rèn)證的10個新的IP模塊提供的功能涵蓋從小間距列并行模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)及低溫兼容型低壓差分信令(LVDS)
安森美半導(dǎo)體軍事/航空、數(shù)字、定制晶圓代工、集成無源器件(IPD)及
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