安森美半導(dǎo)體180 nm工藝上經(jīng)過認(rèn)證的新IP模塊縮短上市周期
摘要:2014 年 5 月 7 日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)宣布推出專有ONC18 180納米(nm)工藝技術(shù)上的經(jīng)過認(rèn)證的新的知識產(chǎn)權(quán)(IP)。這些新的經(jīng)過認(rèn)證的電路模塊將幫助安森美半導(dǎo)體的晶圓代工廠(GDS2)接口客戶把需
閱讀:7572014年05月08日 06:14:28