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合肥鑫晟8.5代TFT-LCD面板項目獲批

編輯:janny 2012-07-12 09:23:16 瀏覽:1983  來源:

   5月23日發布的消息顯示,合肥鑫晟光電科技有限公司第8.5代薄膜晶體管液晶顯示器件(TFT-LCD)項目獲國家發展改革委批復核準。

    鑫晟光電8.5代TFT-LCD項目位于新站區,規劃建筑面積66.5萬平方米,總投資285億元,建設周期22個月,計劃于2013年底量產,建成達產后將形成月加工9萬片玻璃基板生產能力。

    項目資料:該項目選址位于合肥新站綜合開發試驗區站北新區,新蚌埠路東側、龍子湖路以北、東方大道以南、大禹路以西,總用地面積647,333平方米(約971畝),項目建成后將形成陣列玻璃基板加工能力9萬片/月,CF玻璃加工能力9萬片/月,加工玻璃基板尺寸為2200mm×2500mm。擬建項目主要建設內容包括1棟陣列廠房、1棟成盒/彩膜廠房、1棟模塊廠房,同時建設化學品車間、綜合動力站、廢水處理站、特氣車間、玻璃及成品倉庫等。建筑占地面積20.5萬平方米,總建筑面積65萬平方米,工程內容包括生產及輔助生產設施、綜合動力供應設施、化學品和特種氣體供應與輸送系統、環保設施、消防設施、職業安全保護設施、管理服務設施等的建設。主要產品規格:9.7英寸、10.1英寸、15.6英寸、17.3英寸、32英寸、46英寸、55英寸液晶顯示模塊,變更后2175.6萬塊/年(以代表模組產品折算)。

    投資額285億元,其中建設投資259.60億元,流動資金25.40億元本項目TFT-LCD的生產工藝流程主要包括陣列(Array)、彩膜(Color Film,CF)、成盒(Cell)、模塊(Module)四部分。

    制程工藝:9萬片/月產能中,保留3萬片/月采用Al制程,其余6萬片/月由Al制程改為Cu制程。陣列工程采用IGZO(氧化銦鎵錫)替代a-Si的金屬氧化物技術技術。

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