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中國氧化物TFT背板技術在京東方結碩

編輯:xiaqiaohui 2012-03-09 10:02:50 瀏覽:965  來源:

  中國大陸首塊氧化物TFT液晶屏(18.5英寸HD Oxide TFT-LCD)及首塊氧化物AMOLED顯示屏(4英寸WQVGA Oxide AMOLED)在京東方研發成功,同時,相關工藝技術及設計開發也已完成。這標志著我國氧化物TFT背板技術研制已經達到業界先進水平,也將進一步推動我國在AMOLED等新型顯示產品的研制進程。

  氧化物TFT即Oxide TFT背板技術,是與傳統a-Si TFT制程相近的背板技術,它將原本應用于a-Si TFT的硅半導體材料部分置換成氧化物半導體(現在應用最廣泛的是a-IGZO(amorphous Indium Gallium Zinc Oxide, 銦鎵鋅氧化物)來形成TFT 半導體層。

  氧化物TFT相對于a-Si TFT具有制備溫度要求低,遷移率高等優勢,可應用于高頻顯示和高分辨率顯示產品,且相對于低溫多晶硅TFT制造領域具有設備投資成本低、運營保障成本低等優點。

  特別值得一提的是,氧化物TFT還是AMOLED新型顯示技術研發制造的關鍵技術。AMOLED顯示要解決量產、大尺寸制造等問題,首先需要解決的就是TFT背板開發問題。氧化物TFT技術的成功開發彌補了大尺寸AMOLED背板技術的缺陷,勢必成為推動AMOLED顯示產品進一步量產化的關鍵技術。而應用Oxide TFT技術的液晶屏及AMOLED顯示屏,其綜合性能將遠高于同類a-Si TFT產品。

  京東方是我國規模最大的光電顯示技術、產品與解決方案的提供商,在氧化物TFT背板技術、AMOLED新型顯示等領域已取得多項重點專利,處于國際領先水平。據介紹,在此基礎上,京東方已著手開發高遷移率、高穩定性的新半導體材料,并進一步推進高分辨率氧化物液晶顯示及大尺寸AMOLED的技術研發及量產儲備。

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