一、OLED 的顯�
二、OLED 相關關鍵工藝
氧化銦錫(ITO)基板前處理
(1)ITO 表面平整度
ITO 目前已廣泛應用在商業化的顯示器面板制造，其具有高透射率、低電阻率及高功函數等優點。一般而言�利用射頻濺鍍法(RF sputtering)所制造的ITO�易受工藝控制因�不良而導致表�不平整，進而產生表面的尖端物質或突起物。另外高溫鍛燒及再結晶的過程亦會產生表面�10 ~ 30nm 的突起層。這些不平整層的�粒之間所形成�路徑會提供空穴直接射向陰極的機會，而這些錯綜復雜�路徑會�漏�流增加。一般有三個方法可以解決這表面層的影響︰一是增加空穴注入層及空穴傳輸層的厚度�降�漏�流，此方法多用于PLED 及空穴層較厚的OLED(~200nm)。二是將ITO 玻璃再處理，使表面�滑。三是使用其它鍍膜方法使表面平整度更�(如圖二所�)�
(2) ITO 功函數的增加
當空穴由ITO 注入HIL 時，過大的位能差會產生蕭基能障，使得空穴不易注入，因此如�降低ITO / HIL 接口的位能差則成為ITO 前處理的重點。一般我們使用O2-Plasma 方式增加ITO 中氧原子的飽�度，以達到增加功函數之目的。ITO 經O2-Plasma �理后功函數可由原先�4.8eV 提升�5.2eV，與HIL 的功函數已非常接近�
加入輔助電極
由于OLED 為電流驅動組件，當外部�路過長或過細時，于外部�路將會造成嚴重之電壓梯度(voltage drop)，使真正落于OLED 組件之電壓下降，導致面板發光強度減少。由于ITO 電阻過大(10 ohm / square)�易造成不必要之外部功率消耗，增加一輔助電極�降低電壓梯度�了增加發光�率、減少驅動電壓的快捷方式。鉻(Cr：Chromium)金屬是最常被用作輔助電極的材料，它具有對環境因子穩定性佳及對蝕刻液有較大的選擇性等優點。然而它的電阻值在膜層�100nm 時為2 ohm / square，在某些應用時仍屬過大，因此在相同厚度時擁有較低電阻值的�(Al：Aluminum)金�(0.2 ohm / square)則成為輔助電極另一較佳選擇。但是，�金屬的高活性也使其有信賴性方面之問題；因此，多疊層之輔助金屬則被提出，如：Cr / Al / Cr 或Mo / Al / Mo，然而此類工藝增加復�度及成本，故輔助電極材料的選擇成為OLED 工藝中的重點之一�
陰極工藝
在高解析的OLED 面板中，將細微的陰極與陰極之間隔離，一般所用的方法為蘑菇構型法(Mushroom structure approach)，此工藝類似印刷技術的負光阻顯影技術。在負光阻顯影過程中，許多工藝上的變異因子會影響陰極的品質及良率�例如，體電阻、介電常數、高分辨率、高Tg、低臨界�度(CD)的損失以及與ITO 或其它有機層適當的黏著接口等�
三、OLED 的驅動技�
四、具體點模塊SSD1332�65K、OLED5
五、用AT90S8515測試板（新測試板外部可以擴展8Mbit�
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