摘要
本研究實驗部分之結構是以類似超薄分離量子井摻雜結構使元件能有最低的起動電壓、最好的發光效率、以及最高的電激發光強度，再利用模擬軟件(ETFOS)以調變發光層中Alq3其Gause分布之半高寬寬度的方式，并將模擬所得到的結果與實驗所得之發光光譜相比�，藉此了解實驗中改變不同摻雜濃度所對應其半高寬寬度改變的相對關�。結果發現當實驗里摻雜濃度越濃時，模擬中所需調變之Gause分布半高寬需越小，才可使模擬中光譜圖的Alq3之波峰降�，由于Alq3發光光譜波形是在一固定范圍�，所以如果以Gause分布來看，其半高寬越小則代表光強度越�，此可驗證當紅光摻雜物太濃時會有較純的紅�，但亮度卻會比低摻雜濃度低時來的弱；反之，半高寬越大則表�，紅光摻雜物摻雜太少時會有較強之光強�，但元件于高亮度下則會顯示橙色而不是純的紅色光。綜合以�，可把模擬應用于實驗上，利用模擬驗證其相關理�，以方便往后制作理想之有機發光二極��
一、前言
Organic light emitting diodes (OLEDs)�1987年研制成功后，吸引相當多的研究人員投入此領域，其中高亮度與高純度紅色有機發光二極管對于有機全彩顯示器發展是有一定程度上的影響的。摻雜便是利用以得到此類高發光特性OLED的常用技術之一，但摻雜系統因為從主發光體能量轉移到客發光體是不完全�，且若摻雜濃度過高會發生濃度淬息效應，所以往往很難作出兼顧純的色飽和度與高發光特性之理想OLEDs。本研究實驗部分之結構是以類似超薄分離量子井摻雜結構使元件能有最低的起動電壓、最好的發光效率、以及最高的電激發光強度[2]，再利用模擬軟件(ETFOS)以調變發光層中Alq3其Gause分布之半高寬寬度的方�，并將模擬所得到的結果與實驗所得之發光光譜相比對，藉此了解實驗中改變不同摻雜濃度所對應其半高寬寬度改變的相對關系。結果發現當實驗里摻雜濃度越濃時，模擬中所需調變之Gause分布半高寬需越小，才可使模擬中光譜圖的Alq3之波峰降低，由于Alq3發光光譜波形是在一固定范圍�，所以如果以Gause分布來看，其半高寬越小則代表光強度越�，此可驗證當紅光摻雜物太濃時會有較純的紅光，但亮度卻會比低摻雜濃度低時來的弱；反�，半高寬越大則表�，紅光摻雜物摻雜太少時會有較強之光強度，但元件于高亮度下則會顯示橙色而不是純的紅色光。綜合以�，相信可把模擬應用于實驗�，甚至亦可模擬驗證其它相關理�，以方便往后制作理想之有機發光二極管�
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