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　　市調(diào)機(jī)構(gòu)Displaybank針對1986年后各國次世代透明電極PCT 490件專利進(jìn)行分析，并發(fā)表“次世代透明電極核心專利分析”報告顯示，2000年后次世代透明電極相關(guān)專利申請案件急速增加，2002~2009年年平均成長51%，2008年更增加100馀件以上專利申請，并帶動各國次世代透明電極技術(shù)開發(fā)競爭升溫。

　　近期隨著銦價格上升以及氧化銦錫(ITO)電極自身的易劃傷特性，將ITO直接應(yīng)用于產(chǎn)品上會出現(xiàn)諸多問題。對此，以石墨烯(Graphene)、奈米金屬絲、高分子半導(dǎo)體(PEDOT)、透明導(dǎo)電性氧化物(TCO)、碳奈米管(CNT)等為基礎(chǔ)，正積極開發(fā)替代型次世代透明電極。

　　環(huán)顧韓國、美國、日本、歐洲等各國家專利申請現(xiàn)狀，日本以212件(43%)位居專利申請第一位，然后依次是韓國153件(31%)、美國94件(19%)、歐洲14件(3%)。

　　材料方面， CNT 基板的透明電極相關(guān)專利申請數(shù)有203件，占整體的41%位居第一。而 CNT基板的透明電極最多應(yīng)用于觸控式屏幕(TSP)上，且韓國電器研究院申請數(shù)量最多。金屬基板透明電極以147 件佔整體的30%，其中日本的Konica Minolta、富士薄膜以及美國 Cambrios technology 的相關(guān)專利申請數(shù)最多。

　　緊隨的是透明導(dǎo)電性氧化物(TCO)基板透明電極83件(17%)、導(dǎo)電性聚合物(PEDOT)基板透明電極41件(8%)。導(dǎo)電性聚合物基板透明電極是哈尼塔(Hanita Coatings)與Cima Nanotech等以色列企業(yè)專利申請數(shù)量最多。

　　同時，次世代透明電極中最佳材料的石墨烯(Graphene)以韓國企業(yè)與大學(xué)為中心申請專利，而成均館大學(xué)申請數(shù)量最多。考慮到石墨烯的研發(fā)仍處于初級階段，預(yù)計未來對石墨烯的合成與量產(chǎn)等相關(guān)研發(fā)成果專利申請將陸續(xù)增加。

　　另一方面，奈米金屬基板的溷合型透明電極以及氧化物-金屬-氧化物(Oxide-Metal-Oxide；OMO) 等不同材料溷合而成的混合型透明電極等陸續(xù)進(jìn)行開發(fā)，將備受矚目。

　　Displaybank 指出，近期隨著軟性與透明顯示等次世代元件的關(guān)注度逐步增加，對次世代透明電極的研究也在積極展開，因此，次世代透明電極的研究從大學(xué)與研究所向跨國IT企業(yè)擴(kuò)張，未來次世代透明電極技術(shù)開發(fā)競爭也將加速。