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從晶圓背面加熱提高溫度均勻性,AMAT投產面向28nm以后工藝的RTP裝置

編輯:xiaqiaohui 2011-07-04 09:12:35 瀏覽:1280  來源:

  美國應用材料(AMAT)宣布投產新型RTP(Rapid Thermal Processing)裝置“Vulcan”。這款裝置主要面向28nm以后的工藝,采用從晶圓背面進行加熱的方式,提高了加熱時的溫度均勻性。

  隨著微細化的發展,晶體管對工藝溫度依賴性越來越高。也就是說,RTP的溫度不均會直接導致晶體管的性能不均。為了解決這個問題,應用材料開發出了面向28nm以后工藝的新型RTP裝置。原來的裝置從晶圓表面照射用于加熱的燈光,而此次的裝置則改為從背面照射。由此,可以抑制因晶圓表面的圖案形狀等而產生的溫度不均。另外,還配備了可在室溫到1300℃的范圍內,通過閉環(Closed Loop)實現動態溫度控制的機構。

  據應用材料介紹,此次的RTP裝置在通過蜂窩燈陣列(Honeycomb Lamp Array)以200度/秒的速度對晶圓進行加熱時,可將芯片內的溫度均勻性控制在3℃以內。另外,從晶圓表面進行加熱的傳統方式,在改變芯片制造種類時,需要根據芯片對RTP的工藝處方進行改變和優化,而此次的方式則省去了這個步驟??梢哉f,這個優點在制造品種繁多的硅代工等領域尤其有用。

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