氧化物TFT的發布在此次“SID”（全球最大的顯示器學會，2011年5月15～20日在美國洛杉磯舉行）上也非常多。而且，有關高可靠性的發布趨于增加，令人感到氧化物TFT終于接近了實用化水平。
單從分會名稱上看，涉及氧化物TFT的只有“Active Matrix Devices的Oxide TFT I和II”兩個，但“OLED Displays II”分會的發布也都集中于將氧化物TFT用于背板上。而且，還有將氧化物TFT應用于柔性顯示器的發布。此外，在展板會議的26項“Active-Matrix Devices”發布中，有18項都與氧化物TFT相關。這表明，作為最有希望的新一代FPD用元件技術，有大量研究人員在從事氧化物TFT的開發。
Oxide TFT I：發布200℃工藝以及降低截止電流的新技術
在“Oxide TFT I”分會上，首先東芝發布了使用以低于200℃的低溫工藝在樹脂基板上形成IGZO（In-Ga-Zn-O）TFT試制的柔性有機EL面板。BT試驗結果顯示，在Vgs＝20V、70℃、2000秒的條件下ΔVth＝0.22V。試制面板的性能指標為：3英寸、160×120像素、2Tr+1Cap（雙晶體管單電容器電路）像素電路、底面發光型白色有機EL+彩色濾光片結構、開口率為40％。TFT內置掃描驅動電路。
韓國三星移動顯示器（SMD）發布了實現讓內置掃描電路穩定工作以及低耗電化的14英寸有機EL面板（論文編號：4.2）。使用浮游柵極降低了氧化物TFT的截止電流。
氧化物TFT的Vth一般多在0V以下，Vgs＝0V條件下的截止電流較大。因此存在普通電路難以工作以及耗電量變大的問題。因此，SMD將電路的一部分制成了浮游柵極構造，在開始掃描之前設定適當的電位。在此基礎上，還通過電容耦合來控制輸出信號，確保了工作的穩定。
作為另外一種方法，SMD還發布了主動優化柵極偏壓的動態Vth控制式電路（論文編號：49.3）。試制的有機EL面板的性能指標為：14英寸、960×540像素、3Tr+1Cap像素電路。
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