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爾必達社長坂本：“借助與其他公司的垂直合作取勝”

編輯：hattie 2011-01-27 10:25:37 瀏覽：1094 來源：

　　　　日本爾必達存儲器代表董事社長兼CEO坂本幸雄在2011年1月24日《日經(jīng)電子》舉辦的“世界半導(dǎo)體峰會＠東京2011～半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，成長宣言～”上登臺發(fā)表演講，介紹了該公司的業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。坂本在演講中表示：“將與微處理器和閃存廠商等逐步構(gòu)建垂直型合作模式來取代傳統(tǒng)的水平分工模式。先行完成團隊建設(shè)的DRAM廠商將占據(jù)優(yōu)勢”。對于部分媒體報道的將與某臺灣DRAM廠商的經(jīng)營合并，坂本表示“還要再等一段時間才能透露”。

　　　　坂本所說的垂直合作模式是指在DRAM與微處理器、閃存等相結(jié)合的解決方案產(chǎn)品方面進行合作。例如，該公司于2010年7月決定接受美國飛索半導(dǎo)體（Spansion）的NAND閃存技術(shù)授權(quán)，將于2011年1～3月開始量產(chǎn)相關(guān)存儲器。除此之外，爾必達還在探索與邏輯LSI廠商的合作。合作的基礎(chǔ)技術(shù)是使用貫通電極連接種類各異的多個芯片的硅通孔（TSV）。爾必達一直致力于TSV的開發(fā)，“2011年2～3月將開始供應(yīng)（采用TSV的）產(chǎn)品”（坂本）。

　　　　爾必達之所以與重視TSV或以該技術(shù)為核心的其他公司的合作，是因為DRAM正在接近微細化的極限。爾必達的看法是：“在使用EUV曝光的技術(shù)時代，是否還能維持通過微細化降低DRAM成本還存在相當(dāng)大的疑問。另一方面，相變存儲器（PRAM）和可變電阻式存儲器（ReRAM）等新型存儲器上市還為時尚早。因此，作為連接兩者的技術(shù)，目前還要依靠TSV”。

　　　　除以上舉措外，爾必達同時還在為追求DRAM市場上的規(guī)模與其他同行業(yè)公司合作。在DRAM生產(chǎn)方面，該公司此前與臺灣的力晶半導(dǎo)體（Powerchip Semiconductor，PSC）和茂德科技（ProMOS Technologies）以及臺灣華邦電子（Winbond Electronics）建立起了合作關(guān)系。爾必達似乎正在與這些臺灣DRAM廠商就包括經(jīng)營合并在內(nèi)的深入合作進行探討。“如果臺灣團隊能夠統(tǒng)一協(xié)作，我們就能把1Gbit產(chǎn)品的生產(chǎn)能力提高到現(xiàn)在的2.5倍。從穩(wěn)定DRAM價格的角度來看，我們希望與他們一同形成對抗韓國三星電子的勢力”（坂本）。