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京東方華燦與晶通半導體簽署合作備忘錄,聚焦寬禁帶半導體GaN功率器件研發與量產

編輯: 2025-01-14 16:19:05 瀏覽:2812  來源:

隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲能等新興市場的蓬勃發展,高性能功率器件的需求呈現出前所未有的增長態勢。在這一背景下,2025年1月8日于珠海金灣工廠,京東方華燦與晶通半導體簽署了合作備忘錄,共同致力于寬禁帶半導體之氮化鎵(GaN)功率器件的研發與量產,以創新驅動行業發展,滿足市場日益增長需求。

京東方華燦與晶通半導體合作備忘錄簽署儀式

 

作為半導體行業的佼佼者,京東方華燦與晶通半導體均擁有深厚的行業積淀和技術實力。此次合作,雙方將充分發揮各自在技術研發、生產制造及市場拓展等方面的優勢,共同推動GaN功率器件技術的革新與應用。

京東方華燦專注于氮化物半導體領域,其氮化物專利布局位居全球前列,具備優異的運營管理能力,一直致力于為客戶提供高質量的半導體產品和服務。晶通半導體在GaN技術領域深耕多年,擁有GaN HEMT、GaN SBD、Smart-GaN®、Smart-Driver® IC的設計能力,以及基于AI機器學習的動態測試技術平臺。通過此次合作,雙方將整合各自資源,共同打造高性能、高可靠性的GaN功率器件,以滿足消費類、AI數據中心、車用、光伏及儲能等新興市場的多元化需求。

晶通總裁劉丹、首席科學家馬俊博士等參觀京東方華燦金灣工廠

 

京東方華燦與晶通半導體將攜手推進GaN技術持續創新,不斷提升器件性能與可靠性,共同探索新的器件設計、工藝技術和材料應用,以降低成本、提高生產效率;在生產制造方面,晶通半導體將依托京東方華燦先進的生產設備和工藝,提升產品品質和競爭力。雙方始終以終端客戶需求為導向,加強在生產管理、質量控制等方面的合作,確保GaN功率器件的穩定供應,推動GaN功率器件成本持續降低,加速GaN功率器件大規模商業化應用。

展望未來,京東方華燦與晶通半導體將繼續秉持創新引領、質量為本的發展理念,共同推動GaN功率器件技術革新與進步。雙方將深化合作,加強交流,共同打造行業新生態,為全球客戶提供更加優質的GaN功率器件產品和服務。

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