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　　10 月 16 日消息，上周一，三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免，其中國工廠無需特別許可即可進口美國芯片設備。

　　對于三星來說這無疑是一個好消息，而且他們在取得豁免后也確實在采取相應措施。據 Business Korea 報道，三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝，并已開始大規模擴張。

　　消息人士稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續引進可生產第 8 代 NAND 的設備，這也被業界視為克服全球 NAND 需求疲軟導致產能下降的戰略步驟。

　　公開資料顯示，三星（中國）半導體有限公司 2012 年落戶西安高新區，而三星半導體西安工廠是該公司唯一的海外存儲器半導體生產基地。

　　該工廠于 2020 年增設了第二期工廠項目，目前已發展成為全球最大的 NAND 制造基地，每月可生產 20 萬片 12 英寸晶圓，這占據了三星 NAND 總產量的 40% 以上。

　　三星西安工廠第一工廠投資 108.7 億美元（IT之家備注：當前約 794.6 億元人民幣），2017 年開始建造的第二工廠，先后投資了 150 億美元（當前約 1096.5 億元人民幣）。

　　外媒認為，三星決定升級其西安工廠的原因有兩個。其一主要在全球 NAND 市場環境沒有表現出明顯的復蘇跡象，而在這種情況下三星需要保持其在 NAND 市場的全球領導地位；另一個原因就是美國剛剛發布的無限期豁免。

　　由于產能嚴重過剩，再加上去年年底以來全球 IT 市場需求嚴重低迷，半導體市場疲軟嚴重影響了三星的 NAND 業務，導致庫存水位一直增加，進而導致虧損不斷擴大。即使在通過減產政策略降低產量后略有改善，但目前三星依然需要盡快實現工藝升級。

　　通過升級最新的第 8 代 NAND 產品，三星不僅可以確保價格競爭力，而且考慮到第 8 代 NAND 相比第 6 代晶圓投入減少約 30%，更能平衡市場供應和需求。

　　據稱，作為第 6 代（128 層）V-NAND 主要生產基地，西安工廠自三星 4 月份宣布減產以來，其開工率也出現了大幅下降，目前整體開工率已降至 20% 左右。

　　外媒認為，美國雖然暫時放寬了對中國半導體設備的限制，但這對于三星和 SK 海力士來說僅僅只是一個暫時的喘息機會。