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　　根據(jù)韓國經(jīng)濟日報5月23日報導，韓國政府已正式向美國表明，希望能重新檢視美國芯片與科學法案資金補助的附帶條件，以進一步放寬當前已經(jīng)在美國投資的韓國半導體廠商，未來在中國的擴產(chǎn)限制。

　　報導指出，韓國政府已經(jīng)在5月 23 日對美國商務部提出正式要求，要美國政府針對芯片與科學法案提供資金補助的附帶條件重新檢視，因為這些條件關系著韓國半導體廠商未來在中國發(fā)展的關鍵。韓國政府表示，美國芯片與科學法案資金補助的附帶條件不應給已經(jīng)在美國進行投資的公司帶來不合理的壓力與負擔。

　　根據(jù)美國芯片與科學法案資金補助的附帶條件規(guī)定，接受美國政府資金補助的企業(yè)，未來 10 年在中國或被關注的國家產(chǎn)線的擴產(chǎn)，先進制程僅準許增加 5%，成熟制程則僅允許增加 10%。對此，韓國政府要求美國對先進制程的產(chǎn)業(yè)擴產(chǎn)限制要提高到 10%。

　　至于，針對先進與成熟半導體制程的區(qū)別，美國商務部的定義是邏輯芯片生產(chǎn)制程低于 28 奈米以下、DRAM 制程低于 18 奈米以下、NAND Flash 快閃存儲器高于 128 層堆棧者就屬于先進半導體制程，反之就是成熟半導體制程。而做出這樣的限制，美國的目的就是要限制中國在先進半導體制程上的發(fā)展。

　　報導強調(diào)，韓國政府會對美國提出對芯片與科學法案提供資金補助的附帶條件重新審視，是因為目前已經(jīng)在美國進行投資的韓國三星與 SK 海力士兩大半導體廠商，旗下在中國都有龐大的產(chǎn)線。

　　其中，三星在中國西安有一座 NAND Flash 快閃存儲器工廠，在蘇州也有一座芯片封裝廠。而三星的西安工廠產(chǎn)能，占該公司全球 NAND Flash 快閃存儲器近 40% 的產(chǎn)能。另外，SK 海力士在無錫有一座 DRAM 工廠，在大連經(jīng)營一家 NAND Flash 快閃存儲器工廠，在重慶則有一座芯片封裝廠。當中， SK 海力士的無錫工廠，生產(chǎn)該公司全球 48% 的 DRAM。

　　2022 年 10 月，美國政府公布了對中國半導體的全面出口管制，同時給予韓國相關企業(yè)公司一年的暫緩期，允許期間內(nèi)升級在中國的產(chǎn)線設施。而鑒于一年寬限期即將結束，三星和 SK 海力士燈已經(jīng)停止了在中國的新投資，同時等待美國的下一步行動。另外，韓國方面還要求美國在最終確定附帶條件前，除積極考慮其他意見，還希望就相關問題繼續(xù)進行雙邊的密切溝通和。根據(jù)規(guī)定，美國商務部在審查相關各方提交的意見后，計劃在年底前公布最終規(guī)則。