東芝2010年12月1日宣布，開發成功了用于顯示器、具有“全球最高水平的可靠性”的氧化物半導體TFT。TFT可靠性試驗之一的BTS（Bias Temperature Stress）試驗前后的閾值電壓變化量控制在了50mV以內。另外，BTS試驗是在溫度為＋70℃、柵電壓為±20V的狀態下，連續驅動2000s的試驗。
此次東芝開發的氧化物半導體TFT，其中的通道材料采用了非結晶IGZO（In-Ga-Zn-O）。IGZO TFT比現有大型液晶面板的驅動元件所采用的非晶硅TFT的載流子遷移率約高10倍，不過閾值電壓的變化此前卻一直是個問題。
東芝發現IGZO TFT的可靠性與通道材料內部氫的狀態有關。在優化IGZO TFT的成膜條件以及成膜后熱處理（淬火）溫度的同時，通過控制絕緣膜中的氫的濃度，在玻璃基板上以320℃的溫度形成了IGZO TFT。此次制成的IGZO TFT的載流子遷移率為13.5cm2/Vs。
另外東芝還試制了采用此次IGZO TFT的3英寸有機EL面板。在基板上形成了柵極驅動電路。
今后，東芝將推進氧化物半導體TFT形成工藝的低溫化以及進一步確保其可靠性。以便實現基板材料從現在的玻璃材料變為樹脂材料，實現薄型、輕質的“平板顯示器”的目標。
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