新的MAGb系列氮化鎵功率晶體管提供世界領先性能，LDMOS產品成本水平;
MACOM可向客戶提供樣品
中國上海，2016年2月24日- 領先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導體產品供應商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應用于宏基站的MAGb系列氮化鎵(GaN)功率晶體管。借助于第四代氮化鎵的技術優勢，MACOM的MAGb系列是業界首批針對無線基站而優化并商用的氮化鎵產品系列，在效率、帶寬和增益上都已達到世界領先水平，成本水平與LDMOS產品相當。MACOM更有望在量產的情況下實現低于LDMOS產品的成本。
MAGb系列功率晶體管面向主流的1.8GHz到3.8GHz蜂窩應用頻段。系列首批產品包括小型封裝的峰值功率可達400W的單端晶體管，雙功率管和峰值功率高達700W的對稱/非對稱Doherty架構的功率管。與傳統的LDMOS工藝產品相比，MAGb系列產品在效率和封裝尺寸方面展現出極大的優勢，實現了高達10%的效率提升和超過15%的封裝尺寸的縮小。借助于第四代的技術優勢，和其他氮化鎵工藝相比，MAGb系列在數字預失真(DPD)線性化和更正上表現優異。
MAGb系列功率晶體管可以比LDMOS產品覆蓋更寬的帶寬，可以實現用更少的器件覆蓋更寬的帶寬。與此同時，新的系列產品采用比LDMOS產品更為精簡的Doherty架構實現超過200MHz的視頻帶寬。MAGB-101822-120B0S是此家族的第一款產品，它可以覆蓋從1.7GHz到2.2GHz共500MHz的帶寬，并提供超過19dB的帶內線型增益。它采用小型的AC-400陶瓷封裝，可以提供160W的峰值功率，而且在不進行諧波調試的情況下就可以達到74%的峰值效率。
該系列的第二款產品是MAGB-101822-240B0S，采用AC-780陶瓷封裝。在500MHz的帶寬內擁有比MAGB-101822-120B0S高一倍的峰值功率，保持了19dB的線性增益，并且在不進行諧波調試的情況下就可以實現高達72%的峰值效率。在調諧的情況下，這兩款產品可以實現超過80%的峰值效率。
此系列產品繼承了MACOM第四代氮化鎵功率晶體管在效率、尺寸和帶寬方面的優勢，更適應于LTE的最新演進版本。與此同時，結合在供應鏈上的天然優勢與MACOM數十年經驗的研發和應用團隊的支持，此系列產品可以提供一個最優的價格、性能與可靠性方面的平衡。
MACOM 資深副總裁Preet Virk表示：“MACOM第四代氮化鎵是基站功率放大器領域的改革先鋒，實現了性能與價格的突破，這是其他半導體工藝都是無法實現的。我們期望通過帶來MAGb產品，MACOM在無線應用領域的經驗和工藝延展方面的經驗可以幫助氮化鎵功率放大器成為主流，充分發揮下一代無線基站的優勢。”
如果需要在2016移動通信世界大會(MWC 2016，巴塞羅那)上預約MACOM MAGb產品的演示，請聯系本地銷售代表。另外，MACOM也會在IMS2016(5月22-27日，美國舊金山)上演示此技術。
關注我們
公眾號：china_tp
微信名稱：亞威資訊
顯示行業頂級新媒體
掃一掃即可關注我們
