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　　臺積電最近助海思半導體（HiSilicon）成功產(chǎn)出全球首顆以16納米鰭式場效晶體管（FinFET）的ARM架構網(wǎng)絡芯片，設備廠透露，這項成就宣告臺積電16納米在面臨三星及英特爾進逼下，已取得壓倒性勝利。

　　此外，臺積電也正式向英特爾宣戰(zhàn)，目標是二年內(nèi)在10納米晶體管技術追平英特爾，屆時在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項都超越英特爾，將讓臺積電稱冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動的地位。

　　臺積電的這項成就，是昨天出席臺積電高雄氣爆感恩與祝福餐會的半導體設備廠所透露，針對臺積電宣布全球首顆16納米產(chǎn)品完成產(chǎn)品設計（tape-out）后，點出臺積電在16納米FinFET的重要成果。

　　不愿具名的設備商指出，臺積電為海思成功產(chǎn)出的全球首顆以16納米生產(chǎn)、功能完備的網(wǎng)通處理器，等于宣告海思具備可以提供自家集團華為的核心處理器。該晶片是以ARMv8架構為基礎的32核心ARM Cortex-A57網(wǎng)絡芯片，運算速度可達2.6GHz。

　　華為目前是向英特爾采購以22納米制程的網(wǎng)絡芯片，臺積電與海思的合作，也代表中國大陸已具備自主生產(chǎn)高階網(wǎng)絡芯片的地位，對英特爾帶來一定程度的威脅。

　　同時根據(jù)設備業(yè)者消息，臺積電16奈米FinFET Plus制程也進入試投片（try run）先前作業(yè)階段，可望提前至第4季試產(chǎn)，主要客戶除了繪圖晶片廠英偉達（NVIDIA）、FPGA廠商賽靈思（Xilinx）、手機芯片廠商高通外，眾所矚目的蘋果新款應用處理器也將試投片清單中。

　　對臺積電而言，臺積電也用實例，向英特爾證明臺積電16納米FinFET制程，并未如先前英特爾唱衰在芯片閘密度比英特爾還低30%，臺積電不但在20納米就已超越英特爾，16納米FinFET更大幅領先。

　　此外，面對三星先前一直強調(diào)16納米FinFET遠遠領先臺積電，臺積電率先提出產(chǎn)出成功案例，回擊三星的口水戰(zhàn)，等于左打英特爾，右踢三星，臺積電有信心在16納米FinFET會取得壓倒性勝利。

　　相較于臺積電的28納米高效能行動運算（28HPM）制程，16納米FinFET制程的晶片閘密度增加兩倍，在相同功耗下速度增快逾40％，或在相同速度下功耗降低逾60％。

　　臺積電的16納米FinFET制程早于去年11月即完成所有可靠性驗證，良率表現(xiàn)優(yōu)異，如今進入試產(chǎn)階段，為臺積電與客戶的產(chǎn)品設計定案、試產(chǎn)活動與初期送樣打下良好基礎。

　　半導體人士強調(diào)，半導體評斷技術實力，看的是晶體管效能、芯片金屬層連結(jié)及芯片閘密度，后二者臺積電都已超越英特爾，一旦臺積電二年內(nèi)在晶體管效能追平英特爾，臺積電將可正式躍居全球半導體新霸主地位，為臺灣締造新的歷史地位。