本研究實驗部分之結構是以類似超薄分離量子井摻雜結構使元件能有最低的起動電壓、最好的發光效率、以及最高的電激發光強度[2]，再利用模擬軟體(ETFOS)以調變發光層中Alq3其Gause分佈之半高寬寬度的方式，并將模擬所得到的結果與實驗所得之發光光譜相比對，藉此了解實驗中改變不同摻雜濃度所對應其半高寬寬度改變的相對關系。
結果發現當實驗裡摻雜濃度越濃時，模擬中所需調變之Gause分佈半高寬需越小，才可使模擬中光譜圖的Alq3之波峰降低，由于Alq3發光光譜波形是在一固定范圍裡，所以如果以Gause分佈來看，其半高寬越小則代表光強度越低，此可驗證當紅光摻雜物太濃時會有較純的紅光，但亮度卻會比低摻雜濃度低時來的弱；反之，半高寬越大則表示，紅光摻雜物摻雜太少時會有較強之光強度，但元件于高亮度下則會顯示橙色而不是純的紅色光。綜合以上，可把模擬應用于實驗上，利用模擬驗證其相關理論，以方便往后製作理想之有機發光二極體。
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