日本媒體日刊工業新聞3月26日報道，日本神戶制鋼所（Kobe Steel）研發出具有“易于量產”特性的薄膜晶體管（TFT）用氧化物半導體材料，其左右耗電力性能的電子遷移率（electron mobility）達10平方公尺/V.S（伏特.秒），達現行主流的非晶硅TFT的10倍以上，足以媲美夏普已率先進行量產的氧化物半導體“IGZO”。
報道指出，藉由和夏普IGZO的相互競爭，可望加快次世代面板的研發腳步。據報導，夏普領先全球進行量產的IGZO是由“銦、鎵、鋅、氧”構成，惟神戶制鋼所研發的新材料的組成則不明。
日本媒體產經新聞曾于2012年12月8日報道指出，據業界關系人士指出，夏普的IGZO技術恐將于1-2年內“過時”，主因IGZO基礎專利并非由夏普所擁有，而是由科學技術振興機構（JST）所擁有，而JST傾向于廣泛向日本國內外企業進行授權，其中JST已于2011年夏天和三星電子簽訂了IGZO的授權契約。
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